优化Go汇编器中NEON寄存器加载全局数据的方法

arm64 asm代码中有p256one全局数据作为示例：

DATA p256one<>+0x00(SB)/8, $0x0000000000000001
DATA p256one<>+0x08(SB)/8, $0xffffffff00000000
DATA p256one<>+0x10(SB)/8, $0xffffffffffffffff
DATA p256one<>+0x18(SB)/8, $0x00000000fffffffe

GLOBL p256one<>(SB), 8, $32

我需要将 p256one<>(SB) 加载到 V0 和 V1 寄存器中。目前我使用以下方法：

LDP p256one<>+0x00(SB), (R0, R1)
    LDP p256one<>+0x10(SB), (R2, R3)
    VMOV R0, V0.D[0]
    VMOV R1, V0.D[1]
    VMOV R2, V1.D[0]
    VMOV R3, V1.D[1]

这里总共使用了六个指令。我们知道我们可以加载内存数据，如下所示：

VLD1 (R0), [V0.B16, V1.B16]

但是我们似乎无法用同样的方法加载全局数据。

那么，在Go的汇编代码中是否有更高效的方式将全局数据加载到NEON寄存器中呢？

正确答案

尝试将地址加载到寄存器中，然后从该地址加载：

MOVD $p256one<>(SB), R0
    VLD1 (R0), [V0.B16, V1.B16]